該相機(jī)是指成像器件能探測(cè)到光子數(shù)小于500個(gè)，對(duì)微弱光進(jìn)行成像。

　　該相機(jī)可以分為進(jìn)行單光子探測(cè)的ICCD，在10個(gè)光子數(shù)下有優(yōu)勢(shì)的EMCCD；

　　在高分辨率高速度且高靈敏下的SCMOS，為降低熱噪聲提高靈敏度的制冷型CCD

　　1、原理

　　目標(biāo)物體在相機(jī)的芯片上形成的每個(gè)信號(hào)都反映了投射在相機(jī)像素上的光線(xiàn)量。

　　在光線(xiàn)較暗的情況下，該信號(hào)非常弱。

　　高靈敏度相機(jī)內(nèi)的電子元件可增強(qiáng)較弱的信號(hào)，使其能夠有效地?cái)?shù)字化并傳輸[2]。

　?。?）EM增益——高靈敏度

　　EMCCD技術(shù)，有時(shí)也被稱(chēng)作“片上增益”技術(shù)，是一種全新的微弱光信號(hào)增強(qiáng)探測(cè)技術(shù)。

　　它與普通的科學(xué)級(jí)CCD探測(cè)器的主要區(qū)別在于其讀出寄存器后又接續(xù)有一串“增益寄存器”；

　　它的電極結(jié)構(gòu)不同于轉(zhuǎn)移寄存器，信號(hào)電荷在這里得到增益。

　　EMCCD也可采用背照式結(jié)構(gòu)，把高達(dá)90%的量子效率與電荷倍增向結(jié)合；

　　提高靈敏度，從而提供高幀速率情況下的低照度響應(yīng)。

　　溫度對(duì)片上倍增增益的影響明顯。溫度越低，由依次電子產(chǎn)生的二次電子越多，則片上倍增增益越高。

　　研究表明把探測(cè)器制冷到-30攝氏度或更低時(shí)，片上增益可以超過(guò)1000倍。

　　EMCCD良好的性能取決于CCD溫度的選擇以及溫度隨環(huán)境波動(dòng)的控制。

　?。?）ICCD成像技術(shù)

　　ICCD是新一代增強(qiáng)型相機(jī)，靈敏度非常高，可進(jìn)行單光子探測(cè)，適用于UV、VS、NIR等多種波段。

　　具有納秒級(jí)門(mén)控和相關(guān)控制模塊為微光及時(shí)間分辨提供可靠的性能保證。

　　ICCD主要由像增強(qiáng)器和CCD耦合而成，包括像增強(qiáng)器，CCD和中繼耦合組件等幾部分；

　　入射光經(jīng)過(guò)物鏡打到像增強(qiáng)器的光陰極上，由于光電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成電子圖像；

　　電子圖像耦合到微通道板，在微通道板的每個(gè)光纖通道內(nèi)電子不斷撞擊，產(chǎn)

　　生約100倍的電子，放大的電子從微通道板射出撞擊熒光屏，重新激發(fā)出光子圖像，再經(jīng)過(guò)中繼器投射在CCD上成像。

　　對(duì)于ICCD而言，其像增強(qiáng)器門(mén)控裝置所能產(chǎn)生超短的曝光時(shí)間才是其在具體應(yīng)用中的特點(diǎn)；

　　也是sCMOS,EMCCD，制冷CCD等其他相機(jī)所不能比擬，不能取代的。

　　但是ICCD是通過(guò)光電陰極實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的，因此峰值量子效率不超過(guò)50%，并且由于微通道板和熒光屏的存在，而降低了空間分辨率。